极限挑战宝藏行

王德君

个人信息Personal Information

教授

博(bo)士生导师

硕士(shi)生导(dao)师

性(xing)别(bie):男

毕业院校:清华(hua)大学

学位(wei):博士(shi)

所在单位:控制科学与(yu)工程学院(yuan)

学(xue)(xue)科:微电子学(xue)(xue)与固体电子学(xue)(xue). 电路与系(xi)统(tong). 凝聚态物理(li). 控制理(li)论(lun)与控制工程

联系方式:0411-84709975

电子邮箱:dwang121@liviaday.com

扫(sao)描(miao)关注

个人简介Personal Profile

王(wang)德君,电(dian)子(zi)信(xin)息与(yu)(yu)电(dian)气工(gong)程学(xue)(xue)部控制科学(xue)(xue)与(yu)(yu)工(gong)程学(xue)(xue)院教(jiao)授,博士生导师。

吉林(lin)大(da)(da)学(xue)(xue)(xue)半(ban)导(dao)体专业本科、硕士,清华大(da)(da)学(xue)(xue)(xue)材料学(xue)(xue)(xue)博(bo)士,先后(hou)服务(wu)于北京大(da)(da)学(xue)(xue)(xue)、名(ming)古屋大(da)(da)学(xue)(xue)(xue)和奈良先端科学(xue)(xue)(xue)技术大(da)(da)学(xue)(xue)(xue)院大(da)(da)学(xue)(xue)(xue),现大(da)(da)连理工(gong)大(da)(da)学(xue)(xue)(xue)教授,博(bo)士生导(dao)师(shi)(微电子、控制、凝聚(ju)态物理)。


研究方向:

1. 三代半导体SiC电子器件制造测试技术及装备;

2. AI芯(xin)片、集(ji)成(cheng)电路技术;

3. SiC半导体缺(que)陷物理学(xue);

4. 智(zhi)能电子控制及安(an)全(quan)

课题组重视学(xue)术交流、国(guo)际(ji)化和(he)对外合作,近年指导研究(jiu)生(sheng)(sheng)解决核心关键技术及理(li)论(lun)问(wen)题多(duo)(duo)项,在国(guo)际(ji)顶级学(xue)术期刊发表学(xue)术论(lun)文(wen)数十篇(pian),培养(yang)的研究(jiu)生(sheng)(sheng)多(duo)(duo)次获得博士生(sheng)(sheng)优秀论(lun)文(wen)单项奖学(xue)金和(he)国(guo)家优秀学(xue)生(sheng)(sheng)奖学(xue)金,深受(shou)业(ye)界(jie)欢迎。

招收推免生 生源范围:材料/物理/化(hua)学/电(dian)子信息类(lei),等。


Publications

[17] 杨...超 等. (Topical Review) BTI in SiC MOS devices. J. Phys.D: Appl. Phys., 54: 123002 (2021)

[16] 尹志鹏 等. Reoxidation, defects and stability. Applied Surface Science, 531: 147312 (2020)

[15] 张(zhang)方龙 等. Carrier capture and emission properties. Applied Surface Science, 514: 145889 (2020)

[14] 杨...超 等. Synergistic effects of nitrogen and oxygen. Applied Surface Science, 513: 145837 (2020)

[13] 杨...超 等. Bias temperature instability. Applied Surface Science, 488: 293-302 (2019)

[12] 王(wang)俊强 等. Cu-Sn bonding in 3D integration.  Applied Surface Science, 403: 525 (2017)

[11] 黄海云 等. A Monolithic CMOS Magnetic Hall Sensor.Sensors, 15: 27359 (2015)

[10] 刘冰冰 等. SiC surface pretreatment combined with POA. Applied Surface Science, 364: 769 (2016)

[09] 刘冰(bing)冰(bing) 等. Passivation of SiC surface. Applied Physics Letters, 104: 202101 (2014)

[08] 江...滢 等. Devices isolation technology for GaN MOSFETs. Applied Surface Science, 351: 1155 (2015)

[07] 王(wang)青鹏(peng) 等. Characterization of GaN MOSFETs. IEEE Trans. on Electron Devices, 61: 498 (2014)

[06] 李文波(bo) 等. Oxidation of step edges on SiC surfaces. Applied Physics Letters, 103: 211603 (2013)

[05] 朱巧智(zhi) 等. Passivation of SiO2/SiC interface traps. Applied Physics Letters, 103: 062105 (2013)

[04] 黄玲琴 等(deng). Barrier of metal/SiC contacts. Applied Physics Letters, 103: 033520 (2013)

[03] 李文波 等. Insight into the Oxidation and defects of SiC. Physical Review B, 87: 085320 (2013)

[02] 黄(huang)玲(ling)琴 等. SiC Ohmic contacts. Applied Physics Letters, 100: 263503 (2012)

[01] 朱巧(qiao)智 等. SiO2/SiC interface transition region. Applied Physics Letters, 99: 082102 (2011)


译著:《半导体材料与器件表征技术》,大连理工大学出版社,2008年6月
原著:《Semiconductor Material and Device Characterization》by Dieter K. Schroder

  • 教育经历Education Background
  • 工作经历Work Experience
  • 研究方向Research Focus
  • 社会兼职Social Affiliations
  • 三代半导体SiC器(qi)件测试制造技术(shu)及(ji)装备

  • AI芯片、集成电路技术

  • 半(ban)导体缺陷(xian)物理学

  • 智能电子控制及安全


Baidu
sogou
百度 搜狗 360