爱上特种兵

王德君

个人信息Personal Information

教授

博士生导师

硕士(shi)生导师(shi)

性别:男(nan)

毕业(ye)院校:清华大(da)学

学位:博(bo)士

所在单位:控(kong)制(zhi)科(ke)学与(yu)工程学院

学(xue)(xue)科:微电(dian)子学(xue)(xue)与(yu)固体电(dian)子学(xue)(xue). 电(dian)路与(yu)系(xi)统. 凝聚(ju)态物理(li). 控(kong)制(zhi)理(li)论与(yu)控(kong)制(zhi)工程

联系方式:0411-84709975

电(dian)子邮箱:dwang121@liviaday.com

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个人简介Personal Profile

王德君(jun),电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院教授(shou),博士生导师。

吉林大(da)学(xue)(xue)半导体(ti)专业本科、硕士,清华大(da)学(xue)(xue)材料学(xue)(xue)博(bo)士,先后服务于北京大(da)学(xue)(xue)、名(ming)古屋大(da)学(xue)(xue)和奈(nai)良先端科学(xue)(xue)技术大(da)学(xue)(xue)院大(da)学(xue)(xue),现大(da)连理(li)工大(da)学(xue)(xue)教授,博(bo)士生导师(shi)(微电子、控(kong)制(zhi)、凝聚(ju)态(tai)物(wu)理(li))。


研究方向:

1. 三代(dai)半导体碳化硅SiC电子器件(jian),制造(zao)测试技术及装备;

2. 人工智能类(lei)脑(nao)神经(jing)元器件技术;

3. SiC半导体(ti)缺陷(xian)物理(li)学;

4. 传感器与传感网;

课(ke)题组重视学(xue)(xue)术(shu)交流、国际化和(he)对(dui)外(wai)合作(zuo),近年指导(dao)研究生(sheng)(sheng)解决(jue)核心(xin)关(guan)键科学(xue)(xue)技术(shu)问题多项,在国际顶级学(xue)(xue)术(shu)期刊发表学(xue)(xue)术(shu)论文数十篇,培养的研究生(sheng)(sheng)多次(ci)获(huo)得博士生(sheng)(sheng)优秀(xiu)论文单(dan)项奖(jiang)学(xue)(xue)金(jin)和(he)国家优秀(xiu)学(xue)(xue)生(sheng)(sheng)奖(jiang)学(xue)(xue)金(jin),深受业界欢迎(ying)。

招收推免生 生(sheng)源范围:材(cai)料/物理/化学/电子信息(xi)类(lei),等。


Publications

[17] 杨...超 等. (Topical Review) BTI in SiC MOS devices. J. Phys.D: Appl. Phys., 54: 123002 (2021)

[16] 尹志鹏(peng) 等. Reoxidation, defects and stability. Applied Surface Science, 531: 147312 (2020)

[15] 张方龙(long) 等(deng). Carrier capture and emission properties. Applied Surface Science, 514: 145889 (2020)

[14] 杨...超 等. Synergistic effects of nitrogen and oxygen. Applied Surface Science, 513: 145837 (2020)

[13] 杨...超 等. Bias temperature instability. Applied Surface Science, 488: 293-302 (2019)

[12] 王俊(jun)强 等. Cu-Sn bonding in 3D integration.  Applied Surface Science, 403: 525 (2017)

[11] 黄海云 等(deng). A Monolithic CMOS Magnetic Hall Sensor.Sensors, 15: 27359 (2015)

[10] 刘冰冰 等. SiC surface pretreatment combined with POA. Applied Surface Science, 364: 769 (2016)

[09] 刘冰(bing)冰(bing) 等. Passivation of SiC surface. Applied Physics Letters, 104: 202101 (2014)

[08] 江...滢 等. Devices isolation technology for GaN MOSFETs. Applied Surface Science, 351: 1155 (2015)

[07] 王青鹏(peng) 等. Characterization of GaN MOSFETs. IEEE Trans. on Electron Devices, 61: 498 (2014)

[06] 李(li)文波(bo) 等. Oxidation of step edges on SiC surfaces. Applied Physics Letters, 103: 211603 (2013)

[05] 朱巧(qiao)智 等. Passivation of SiO2/SiC interface traps. Applied Physics Letters, 103: 062105 (2013)

[04] 黄玲(ling)琴 等(deng). Barrier of metal/SiC contacts. Applied Physics Letters, 103: 033520 (2013)

[03] 李文波 等(deng). Insight into the Oxidation and defects of SiC. Physical Review B, 87: 085320 (2013)

[02] 黄玲琴 等. SiC Ohmic contacts. Applied Physics Letters, 100: 263503 (2012)

[01] 朱巧智 等. SiO2/SiC interface transition region. Applied Physics Letters, 99: 082102 (2011)


译著:《半导体材料与器件表征技术》,大连理工大学出版社,2008年6月
原著:《Semiconductor Material and Device Characterization》by Dieter K. Schroder

  • 教育经历Education Background
  • 工作经历Work Experience
  • 研究方向Research Focus
  • 社会兼职Social Affiliations
  • 三代半导体SiC器件(jian)测试制造技术及装(zhuang)备

  • AI芯片(pian)、集成电路(lu)技(ji)术

  • 半导(dao)体缺陷物理学

  • 传(chuan)感(gan)器与(yu)传(chuan)感(gan)网

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